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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	85A
Courant du drain dans l'impulsion	190A
Puissance de dissipation	17W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	3mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	40nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS36304

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 30V; 85A; Idm: 190A; 17W; DFN5x6

Spécification