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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	310A
Courant du drain dans l'impulsion	630A
Puissance de dissipation	86W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,95mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	118nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66405

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 40V; 310A; Idm: 630A

Spécification