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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	85A
Courant du drain dans l'impulsion	200A
Puissance de dissipation	19W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	3,1mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	36,2nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66408

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 40V; 85A; Idm: 200A

Spécification