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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	150V
Courant du drain	56A
Courant du drain dans l'impulsion	97A
Puissance de dissipation	48W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	16mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	23nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66524

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 150V; 56A; Idm: 97A

Spécification