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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	275A
Courant du drain dans l'impulsion	400A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	DFN8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	1,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	78nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66641

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 60V; 275A; Idm: 400A

Spécification