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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	80V
Courant du drain	220A
Courant du drain dans l'impulsion	880A
Puissance de dissipation	125W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,4mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	66nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66814

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 80V; 220A; Idm: 880A; 125W; DFN5x6

Spécification