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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	160A
Courant du drain dans l'impulsion	340A
Puissance de dissipation	83W
Boîtier	DFN5x6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	4,2mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	52nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AONS66909

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 100V; 160A; Idm: 340A

Spécification