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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	25V
Courant du drain	38/85A
Puissance de dissipation	8/27W
Boîtier	DFN5x6E
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	5/1,15mΩ
Montage	SMD
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

AONX38168

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 25V; 38/85A; 8/27W; DFN5x6E

Spécification