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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	32/52A
Puissance de dissipation	8,5/12,5W
Boîtier	DFN5x6D
Tension entrée-source	±20/±12V
Résistance en état de conduction	8,6/3,5mΩ
Montage	SMD
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

AONY36304

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 32/52A; 8,5/12,5W

Spécification