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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	32A
Puissance de dissipation	8,7/13W
Boîtier	DFN5x6B
Résistance en état de conduction	6,1/3,8mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	13/30nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Construction de semi-conducteur	asymétrique

AONY36356

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 32A; 8,7/13W; DFN5x6B

Spécification