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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-5A
Courant du drain dans l'impulsion	-20A
Puissance de dissipation	1,1W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	42mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

AOSD21311C

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -5A; Idm: -20A; 1,1W; SO8

Spécification