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AOT10B60D

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Earr: 0,07mJ; Eact: 0,26mJ


Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOT10B60D
Référence TME:
AOT10B60D

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
10A
Puissance de dissipation
82W
Boîtier
TO220
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
40A
Montage
THT
Charge d'entrée
17,4nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
25ns
Temps d'extinction
80,8ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
1,53V
Energie d'arrêt
0,07mJ
Energie d'activation
0,26mJ
Poids brut1.932 g
Certificates
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AOT10B60D
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Méthode d'emballage par le fabricant:Tube = 50 pcs