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AOT20B65M1

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 114W; TO220; Earr: 0,27mJ; Eact: 0,47mJ

Fabricant: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
AOT20B65M1
Référence TME:
AOT20B65M1

Spécification

Fabricant
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
20A
Puissance de dissipation
114W
Boîtier
TO220
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
60A
Montage
THT
Charge d'entrée
46nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
51ns
Temps d'extinction
135ns
Tension de saturation collecteur-émetteur
1,7V
Energie d'arrêt
0,27mJ
Energie d'activation
0,47mJ
Poids brut1.946 g
Certificates
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AOT20B65M1
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs