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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	10A
Puissance de dissipation	12W
Boîtier	TO220F
Tension entrée - émetteur	±30V
Courant du collecteur d'impulsion	30A
Montage	THT
Charge d'entrée	24nC
Genre de la emballage	tube
Temps de connection	28ns
Temps d'extinction	131ns
Tension de saturation collecteur-émetteur	1,6V
Energie d'arrêt	0,13mJ
Energie d'activation	0,18mJ

AOTF10B65M2

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Earr: 0,13mJ; Eact: 0,18mJ

Spécification