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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	AlphaSGT™
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	22,5A
Puissance de dissipation	8,3W
Boîtier	TO220FP
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	8,2mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	50nC
Genre de canal	enrichi

AOTF66920L

Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolaire; 100V; 22,5A; 8,3W

Spécification