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Fabricant	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor	IGBT
Tensions collecteur-émetteur	650V
Courant du collecteur	8A
Puissance de dissipation	12W
Boîtier	TO220F
Tension entrée - émetteur	±30V
Courant du collecteur d'impulsion	24A
Montage	THT
Charge d'entrée	22nC
Genre de la emballage	tube

AOTF8B65MQ1

Transistor: IGBT; 650V; 8A; 12W; TO220F

Spécification