APT1001RBVRG
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolaire; 1kV; 11A; Idm: 44A
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT1001RBVRG
Référence TME:
APT1001RBVRG
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | POWER MOS 5® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1kV | |
Courant du drain | 11A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 44A | |
Puissance de dissipation | 280W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 1Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 225nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut6 g
Certificates
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* APT1001RBVRGNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 20.46 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 20.46 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 18.32 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 18.32 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 16.09 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 16.09 USD
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