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APT100GN120B2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 100A; 960W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT100GN120B2G
Référence TME:
APT100GN120B2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
100A
Puissance de dissipation
960W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
540nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
0,1µs
Temps d'extinction
935ns
Poids brut6.855 g
Certificates

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APT100GN120B2G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 42.31 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.31 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 39.31 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 39.31 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 37.10 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 37.10 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 34.41 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 34.41 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs