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APT11F80B

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT11F80B
Référence TME:
APT11F80B

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
8A
Courant du drain dans l'impulsion
46A
Puissance de dissipation
337W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
0,9Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6 g
Certificates

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APT11F80B
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