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APT11N80BC3G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT11N80BC3G
Référence TME:
APT11N80BC3G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
CoolMOS™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
11A
Courant du drain dans l'impulsion
33A
Puissance de dissipation
156W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,45Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Statut de la pièce
Non recommandé aux nouveaux projets
Poids brut6 g
Certificates

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APT11N80BC3G
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