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APT150GN60B2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT150GN60B2G
Référence TME:
APT150GN60B2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
123A
Puissance de dissipation
536W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
450A
Montage
THT
Charge d'entrée
970nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
154ns
Temps d'extinction
575ns
Poids brut6 g
Certificates

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APT150GN60B2G
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