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APT15GP90BDQ1G

Transistor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT15GP90BDQ1G
Référence TME:
APT15GP90BDQ1G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
21A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
60A
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
23ns
Temps d'extinction
170ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.073 g
Certificates

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APT15GP90BDQ1G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.79 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 8.79 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 7.92 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 7.92 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.99 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.99 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs