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APT15GT120BRDQ1G

Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT15GT120BRDQ1G
Référence TME:
APT15GT120BRDQ1G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
18A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
45A
Montage
THT
Charge d'entrée
105nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
21ns
Temps d'extinction
137ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Statut de la pièce
Non recommandé aux nouveaux projets
Poids brut6 g
Certificates

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APT15GT120BRDQ1G
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.29 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.29 USD
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