APT25GN120B2DQ2G
Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT25GN120B2DQ2G
Référence TME:
APT25GN120B2DQ2G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | Field Stop | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 33A | |
Puissance de dissipation | 272W | |
Boîtier | T-Max | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 75A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 155nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 39ns | |
Temps d'extinction | 560ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6 g
Certificates
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* APT25GN120B2DQ2GNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 14.61 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 14.61 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 13.09 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 13.09 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 11.63 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 11.63 USD
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