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APT25GP120BG

Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT25GP120BG
Référence TME:
APT25GP120BG

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
33A
Puissance de dissipation
417W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
90A
Montage
THT
Charge d'entrée
110nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
26ns
Temps d'extinction
197ns
Poids brut6.05 g
Certificates

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APT25GP120BG
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Prix net pour les quantités de 3 pcs - 14.80 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 14.80 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 13.20 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 13.20 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs