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APT25GP90BG

Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT25GP90BG
Référence TME:
APT25GP90BG

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
36A
Puissance de dissipation
417W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
110A
Montage
THT
Charge d'entrée
110nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
29ns
Temps d'extinction
190ns
Poids brut6 g
Certificates

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APT25GP90BG
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