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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | POWER MOS 8® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 500V | |
Courant du drain | 19A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 90A | |
Puissance de dissipation | 415W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 0,19Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 115nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |