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APT30GN60BDQ2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 37A; 203W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT30GN60BDQ2G
Référence TME:
APT30GN60BDQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
37A
Puissance de dissipation
203W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
90A
Montage
THT
Charge d'entrée
165nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
16ns
Temps d'extinction
255ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT30GN60BDQ2G
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