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APT30GP60BDQ1G

Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT30GP60BDQ1G
Référence TME:
APT30GP60BDQ1G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
49A
Puissance de dissipation
463W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
90nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
31ns
Temps d'extinction
165ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.08 g
Certificates

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APT30GP60BDQ1G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 12.59 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 12.59 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 11.33 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 11.33 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 10.01 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 10.01 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs