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APT35GA90BD15

Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT35GA90BD15
Référence TME:
APT35GA90BD15

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 8®, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
35A
Puissance de dissipation
290W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
105A
Montage
THT
Charge d'entrée
84nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
25ns
Temps d'extinction
298ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT35GA90BD15
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