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APT35GN120L2DQ2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; TO264MAX

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT35GN120L2DQ2G
Référence TME:
APT35GN120L2DQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
46A
Puissance de dissipation
379W
Boîtier
TO264MAX
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
105A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,22µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
46ns
Temps d'extinction
465ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT35GN120L2DQ2G
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 12.43 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 12.43 USD
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