APT38F80B2
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT38F80B2
Référence TME:
APT38F80B2
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | POWER MOS 8® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 800V | |
Courant du drain | 26A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 150A | |
Puissance de dissipation | 1,04kW | |
Boîtier | TO247MAX | |
Tension entrée-source | ±30V | |
Résistance en état de conduction | 0,24Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 260nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut6.845 g
Certificates
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* APT38F80B2Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 20.10 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 20.10 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 19.70 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 19.70 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 19.21 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 19.21 USD
Offre disponible pour les clients connectés
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs