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APT40GP60B2DQ2G

Transistor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT40GP60B2DQ2G
Référence TME:
APT40GP60B2DQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
62A
Puissance de dissipation
543W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
135nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
49ns
Temps d'extinction
160ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT40GP60B2DQ2G
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Prix net pour les quantités de 3 pcs - 17.07 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 17.07 USD
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