APT40GP90B2DQ2G
Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT40GP90B2DQ2G
Référence TME:
APT40GP90B2DQ2G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | POWER MOS 7®, PT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 900V | ||
Courant du collecteur | 50A | ||
Puissance de dissipation | 543W | ||
Boîtier | T-Max | ||
Tension entrée - émetteur | ±30V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 160A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 145nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 37ns | ||
Temps d'extinction | 0,22µs | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6.84 g
Certificates
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* APT40GP90B2DQ2GNombre de pièces (Multiplication: 1)
29 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 27.06 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 27.06 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 24.36 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 24.36 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 21.53 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 21.53 USD
Offre disponible pour les clients connectés
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs