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APT40GR120B2D30

Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT40GR120B2D30
Référence TME:
APT40GR120B2D30

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT, POWER MOS 8®
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
500W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
47ns
Temps d'extinction
232ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Statut de la pièce
Non recommandé aux nouveaux projets
Poids brut6.76 g
Certificates

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APT40GR120B2D30
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 27.41 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 27.41 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 24.51 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 24.51 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 21.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 21.60 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs