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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	900V
Courant du collecteur	46A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±30V
Courant du collecteur d'impulsion	136A
Puissance de dissipation	284W
La technologie	POWER MOS 8®, PT
Genre de la emballage	tube
Montage mécanique	vissés

APT46GA90JSC30

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 900V; Ic: 46A; SOT227B; 284W

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque