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APT50GN120L2DQ2G

Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; TO264MAX


Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT50GN120L2DQ2G
Référence TME:
APT50GN120L2DQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
66A
Puissance de dissipation
543W
Boîtier
TO264MAX
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
315nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
55ns
Temps d'extinction
0,6µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Statut de la pièce
Non recommandé aux nouveaux projets
Poids brut6 g
Certificates

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APT50GN120L2DQ2G
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