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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 50A | |
Puissance de dissipation | 694W | |
Boîtier | T-Max | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 330nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 66ns | |
Temps d'extinction | 324ns |