APT50GT120JRDQ2
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT50GT120JRDQ2
Référence TME:
APT50GT120JRDQ2
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 50A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | |
La technologie | NPT | |
Genre de la emballage | tube | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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