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APT50GT120LRDQ2G

Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264


Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT50GT120LRDQ2G
Référence TME:
APT50GT120LRDQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
NPT
Tensions collecteur-émetteur
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
694W
Boîtier
TO264
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage
THT
Charge d'entrée
240nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
73ns
Temps d'extinction
305ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT50GT120LRDQ2G
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