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APT54GA60BD30

Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT54GA60BD30
Référence TME:
APT54GA60BD30

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 8®, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
54A
Puissance de dissipation
416W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
161A
Montage
THT
Charge d'entrée
158nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
37ns
Temps d'extinction
291ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT54GA60BD30
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