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APT65GP60L2DQ2G

Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT65GP60L2DQ2G
Référence TME:
APT65GP60L2DQ2G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 7®, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
96A
Puissance de dissipation
833W
Boîtier
TO264MAX
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
250A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
85ns
Temps d'extinction
0,22µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut10.24 g
Certificates

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APT65GP60L2DQ2G
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 35.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 35.02 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 31.53 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 31.53 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 27.84 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 27.84 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)