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APT68GA60B2D40

Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT68GA60B2D40
Référence TME:
APT68GA60B2D40

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 8®, PT
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
68A
Puissance de dissipation
520W
Boîtier
T-Max
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
202A
Montage
THT
Charge d'entrée
198nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
46ns
Temps d'extinction
304ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6 g
Certificates

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APT68GA60B2D40
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