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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	POWER MOS 5®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	12A
Courant du drain dans l'impulsion	48A
Puissance de dissipation	260W
Boîtier	TO247-3
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,75Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	195nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

APT8075BVRG

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolaire; 800V; 12A; Idm: 48A

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque