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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | POWER MOS 8®, PT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 900V | ||
Courant du collecteur | 80A | ||
Puissance de dissipation | 625W | ||
Boîtier | D3PAK | ||
Tension entrée - émetteur | ±30V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 239A | ||
Montage | SMD | ||
Charge d'entrée | 200nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 49ns | ||
Temps d'extinction | 320ns |