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APT80GA90S

Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT80GA90S
Référence TME:
APT80GA90S

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
IGBT
La technologie
POWER MOS 8®, PT
Tensions collecteur-émetteur
900V
Courant du collecteur
80A
Puissance de dissipation
625W
Boîtier
D3PAK
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
239A
Montage
SMD
Charge d'entrée
200nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
49ns
Temps d'extinction
320ns
Poids brut6 g
Certificates

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APT80GA90S
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