APT80GP60B2G
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
APT80GP60B2G
Référence TME:
APT80GP60B2G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | POWER MOS 7®, PT | ||
Tensions collecteur-émetteur | 600V | ||
Courant du collecteur | 100A | ||
Puissance de dissipation | 1041W | ||
Boîtier | T-Max | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 330A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 280nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 69ns | ||
Temps d'extinction | 233ns |
Poids brut6 g
Certificates
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* APT80GP60B2GNombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 33.17 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 33.17 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 29.85 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 29.85 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 26.38 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 26.38 USD
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