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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de transistor | N-MOSFET | ||
La technologie | POWER MOS 8® | ||
Polarisation | unipolaire | ||
Tension drain-source | 500V | ||
Courant du drain | 53A | ||
Courant du drain dans l'impulsion | 270A | ||
Puissance de dissipation | 1135W | ||
Boîtier | TO247MAX | ||
Tension entrée-source | ±30V | ||
Résistance en état de conduction | 65mΩ | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 340nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Genre de canal | enrichi |