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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 85A | |
Puissance de dissipation | 962W | |
Boîtier | TO264 | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 340A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 0,49µC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 113ns | |
Temps d'extinction | 445ns |