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En savoir plus iciFabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | NPT, POWER MOS 8® | |
Tensions collecteur-émetteur | 650V | |
Courant du collecteur | 100A | |
Puissance de dissipation | 892W | |
Boîtier | T-Max | |
Tension entrée - émetteur | ±30V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 400A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 312nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 105ns | |
Temps d'extinction | 336ns |