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APT9F100B

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
APT9F100B
Référence TME:
APT9F100B

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
5A
Courant du drain dans l'impulsion
37A
Puissance de dissipation
337W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
1,6Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6 g
Certificates

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APT9F100B
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Prix net pour les quantités de 3 pcs - 7.40 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 7.40 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 6.53 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 6.53 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)